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厂家介绍碳化硅的制备方法

来源:http://www.siliconalloys.com/news/33.html发布时间:2015-12-16

  ******的碳化硅是1891年在美国发现的,由于当时人们对碳化硅不了解,以为是金刚石的混合体。到了1893年,碳化硅开始了工业生产。碳化硅作为一种新材料,在半导体行业中也有应用。今天,我们就来为大家介绍下碳化硅的制备方法。
  无压烧结被认为是SiC烧结***有前途的烧结方法,通过无压烧结工艺可以制备出复杂形状和大尺寸的SiC部件。根据烧结机理的不同,无压烧结又可分为固相烧结和液相烧结。对含有微量SiO2的β-SiC可通过添加B和C进行常压烧结,这种方法可明显改善SiC的烧结动力学。掺杂适量的B,烧结过程中B处于SiC晶界上,部分与SiC形成固溶体,从而降低了SiC的晶界能。掺杂适量的游离C对固相烧结有利,因为SiC表面通常会被氧化有少量SiO2生成,加入的适量C有助于使SiC表面上的SiO2膜还原除去,从而增加了表面能。然而#对液相烧结会产生不利影响,因为C会与氧化物添加剂反应生成气体,在陶瓷烧结体内形成大量的开孔,影响致密化进程。SiC的烧结工艺中,原料的纯度、细度、相组成十分重要。S。Proehazka通过在超细β-SiC粉体(含氧量小于2%)中同时加入适量B和C的方法,在2020℃下常压烧结成密度高于98%的SiC烧结体。但SiC-B-C系统属于固相烧结的范畴,需要的烧结温度较高,并且断裂韧性较低,断裂模式为典型的穿晶断裂,晶粒粗大且均匀性差。国外对SiC的研究焦点主要集中于液相烧结上,即以一定数量的

  碳化硅的制备方法还有很多,这里我们为大家介绍的是***常用的一种。其他的碳化硅方法有热压烧结和静压烧结等。

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